新規事業研究会月例会講演要旨

(平成30年)
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    • 講演:『世の中の新しい改革的動き』
          明星大学 名誉教授
          大塚 寛治(オオツカ カンジ) 氏
       
    • 講演日:平成30年1月21日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館3F手島精一記念会議室

    • 【講演要旨】
       世界の資本金トップ10の2006年は石油会社や銀行が大部分を占めていたが2017年では70%が情報関係の会社になり、日本はその末端も汚していない。日本の10年前の地球シミュレータ、4年前Kコンピュータはその当時世界トップの性能を誇り、胸を張っていたが、スタンドアロンで終わり、情報社会への侵入という意図すら感じられないで1500億円以上の政府資金でネクストKプロジェクトは進んでいる。「技術の社会への還元」でWin-Winに思いをはせる経営者が日本に少ないように思われる。本日は情報社会の未来へ向けた展開を知ってもらい、どのようにWin-Win企画を考えていただくかの資料としたい。展望はいろいろあるが、ここでは日本が取り戻せる可能性があるメジャーなシステムを2つ、省エネルギ情報処理技術(人間の脳のように演算と記憶が同じ回路となる、データ圧縮解凍、暗号化など)と映像表示技術(省エネ高精細なマイクロLEDによる2D表示および3D拡張空間表示)を取り上げ、どのように日本主体の導入を図れるかも議論したい。

     

    • 【略歴】
      京工大卒、東工大工博、IEEE Fellow、明星大学名誉教授、主幹研究員、社団法人電子実装工学研究所理事、 34年間日立製作所在勤、前半は半導体黎明期から設計開発、後半はコンピュータの設計開発時従事し、情報社会の骨となる技術の設計開発知識を習得25年間明星大学在勤、情報学研究科長、学部長を経験、リタイア後も研究室設立し一貫して情報技術の先端の研究開発従事26年前IEEE(米国)の出先国際会議ICSJ(日本)の創始者など、50年以上IEEE EPSの重鎮として常に貢献している。

     



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    • 講演:『Si蒸気圧熱平衡環境を用いたSiC表面ステップ制御サーマルエッチング(パワー半導体品質”を実現する新たな表面処理技術の紹介)』
          関西学院大学 理工学部先進エネルギーナノ工学科 教授
          金子 忠昭(カネコ タダアキ)氏
       
    • 講演日:平成30年1月21日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館3F手島精一記念会議室

    • 【講演要旨】
       SiCは加工が極めて困難な硬脆材料の一つであり,ウェハ切り出し後の精密研磨を経ても表面直下には加工歪み領域が残存するという問題があった. SiCウェハに導入されたままの外因的な歪みを取り除き、 さらに表面に熱的に安定で再現性の高いステップテラス構造を形成可能な表面処理技術は、成長層の結晶品質が下地SiC基板の表面品質をそのまま引き継ぐエピ成長の前工程技術として必要不可欠である。そこで我々は、新たな加工技術として、SiCウェハからの熱昇華(1500-2000℃)のみで高速エッチングを実現する表面処理法の開発を進めてきた。アニール機能を包含するSiCプロセスであることから、加工歪み層の除去のみならず、プロセス後表面に現れるステップの構造的特性をも制御が可能となる。このプロセスは、反応容器内に閉じ込めたSi蒸気圧により誘起されることから“Si蒸気圧エッチング”とよぶ。本技術の詳細について報告する。


    • 【略歴】
      1986   国際基督教大学教養学部卒業
      1991   大阪大学大学院工学研究科博士課程 終了(工学博士)
      1991-94英ロンドン大学インペリアル・カレッジにて
            新技術事業団「新素材の原子配列設計制御プロジェクト」
      1995-97独マックスプランク固体物理研究所
      1997   関西学院大学理学部物理学科
      2015   関西学院大学理工学部先進エネルギーナノ工学科



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2018年1月23日 最終更新

新規事業研究会
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