新規事業研究会月例会講演要旨

(平成30年)
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    • 講演:『世の中の新しい改革的動き』
          明星大学 名誉教授
          大塚 寛治(オオツカ カンジ) 氏
       
    • 講演日:平成30年1月21日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館3F手島精一記念会議室

    • 【講演要旨】
       世界の資本金トップ10の2006年は石油会社や銀行が大部分を占めていたが2017年では70%が情報関係の会社になり、日本はその末端も汚していない。日本の10年前の地球シミュレータ、4年前Kコンピュータはその当時世界トップの性能を誇り、胸を張っていたが、スタンドアロンで終わり、情報社会への侵入という意図すら感じられないで1500億円以上の政府資金でネクストKプロジェクトは進んでいる。「技術の社会への還元」でWin-Winに思いをはせる経営者が日本に少ないように思われる。本日は情報社会の未来へ向けた展開を知ってもらい、どのようにWin-Win企画を考えていただくかの資料としたい。展望はいろいろあるが、ここでは日本が取り戻せる可能性があるメジャーなシステムを2つ、省エネルギ情報処理技術(人間の脳のように演算と記憶が同じ回路となる、データ圧縮解凍、暗号化など)と映像表示技術(省エネ高精細なマイクロLEDによる2D表示および3D拡張空間表示)を取り上げ、どのように日本主体の導入を図れるかも議論したい。

     

    • 【略歴】
      京工大卒、東工大工博、IEEE Fellow、明星大学名誉教授、主幹研究員、社団法人電子実装工学研究所理事、 34年間日立製作所在勤、前半は半導体黎明期から設計開発、後半はコンピュータの設計開発時従事し、情報社会の骨となる技術の設計開発知識を習得25年間明星大学在勤、情報学研究科長、学部長を経験、リタイア後も研究室設立し一貫して情報技術の先端の研究開発従事26年前IEEE(米国)の出先国際会議ICSJ(日本)の創始者など、50年以上IEEE EPSの重鎮として常に貢献している。

     



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    • 講演:『Si蒸気圧熱平衡環境を用いたSiC表面ステップ制御サーマルエッチング(パワー半導体品質”を実現する新たな表面処理技術の紹介)』
          関西学院大学 理工学部先進エネルギーナノ工学科 教授
          金子 忠昭(カネコ タダアキ)氏
       
    • 講演日:平成30年1月21日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館3F手島精一記念会議室

    • 【講演要旨】
       SiCは加工が極めて困難な硬脆材料の一つであり,ウェハ切り出し後の精密研磨を経ても表面直下には加工歪み領域が残存するという問題があった. SiCウェハに導入されたままの外因的な歪みを取り除き、 さらに表面に熱的に安定で再現性の高いステップテラス構造を形成可能な表面処理技術は、成長層の結晶品質が下地SiC基板の表面品質をそのまま引き継ぐエピ成長の前工程技術として必要不可欠である。そこで我々は、新たな加工技術として、SiCウェハからの熱昇華(1500-2000℃)のみで高速エッチングを実現する表面処理法の開発を進めてきた。アニール機能を包含するSiCプロセスであることから、加工歪み層の除去のみならず、プロセス後表面に現れるステップの構造的特性をも制御が可能となる。このプロセスは、反応容器内に閉じ込めたSi蒸気圧により誘起されることから“Si蒸気圧エッチング”とよぶ。本技術の詳細について報告する。


    • 【略歴】
      1986   国際基督教大学教養学部卒業
      1991   大阪大学大学院工学研究科博士課程 終了(工学博士)
      1991-94英ロンドン大学インペリアル・カレッジにて
            新技術事業団「新素材の原子配列設計制御プロジェクト」
      1995-97独マックスプランク固体物理研究所
      1997   関西学院大学理学部物理学科
      2015   関西学院大学理工学部先進エネルギーナノ工学科


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    • 講演:『熱プラズマのエネルギー・環境分野への応用』
          九州大学 大学院工学研究科 化学工学部門 教授
          渡辺 隆行(ワタナベ タカユキ)氏
       
    • 講演日:平成30年2月10日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館3F手島精一記念会議室

    • 【講演要旨】
       大気圧近傍で発生する熱プラズマは1万度以上の高温を有する熱流体であり,その特長を活かした様々なプロセッシングが開発されている。熱プラズマは単に高温であるという特長だけではなく,高温から一挙に常温までの冷却過程をプロセスとして活用できることも重要である。熱プラズマを廃棄物処理に用いる場合には,プラズマが有する高温を利用して原料を蒸発あるいは溶融させ,下流ではプラズマの流れの状態による冷却過程が重要な役割を果たしている。高速クエンチングを利用することによって,熱プラズマ中の非平衡状態を生み出し,副生成物の発生を抑制することができる。このような特長を活かして熱プラズマを廃棄物処理に用いる場合には,直流放電,交流放電,高周波放電による熱プラズマ発生システムがある。廃棄物処理に用いるという観点からそれぞれの熱プラズマの特徴を紹介する。

     

    • 【略歴】
      学歴:
      1984.3 東京工業大学 工学部 化学工学科卒業
      1986.3 東京工業大学大学院 理工学研究科 化学工学専攻 修士課程修了
      1991.12 博士(工学)東京工業大学「熱プラズマ流のモデリングと制御」

      職歴:
      1986.4 東京工業大学 工学部 化学工学科 助手
      (1994.6-1995.3 文部省在外研究員 ミネソタ大学 機械工学科 客員研究員)
      1995.4 東京工業大学 工学部 化学工学科 助教授
      1998.4 原子炉工学研究所,総合理工学研究科 化学環境学専攻 准教授を経て,
      2013.4 九州大学 大学院工学研究院 化学工学部門 教授

      専門:
      プラズマ化学(特に熱プラズマ発生,モデリング,熱プラズマ応用),エネルギー工学

      受賞:
      2006.6 日本学術振興会プラズマ材料科学賞 (奨励部門)「熱プラズマ流のモデリング」
      2007.9 Microsoft Innovation Award優秀賞「大気圧プラズマによる廃棄物処理システム」
      2013.2 手島精一記念研究賞発明賞「インフライト溶融によるガラス製造方法」
      2014.10 日本学術振興会プラズマ材料科学賞 (基礎部門)「熱プラズマプロセッシングの開発およびプラズマ解析に関する基礎分野の確立」

     



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    • 講演:『ランダムレーザーの基礎およびその応用』
          九州工業大学 大学院情報工学研究院
          システム創成情報工学研究系 教授
          岡本 卓(オカモト タカシ)氏
       
    • 講演日:平成30年2月10日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館3F手島精一記念会議室

    • 【講演要旨】
       ランダムレーザーは光増幅媒質と散乱体で構成された、光共振器を持たないレーザーである。レーザーに必要な誘導放出光は、多重散乱により光が散乱体の内部で長い径路をたどることから発生する。さらに、光の共振もランダムに分布した散乱体により引き起こされる。この特殊な発振メカニズムにより、発生した光は時間的コヒーレンスがLEDなどの照明光よりも高いにもかかわらず、空間的コヒーレンスが低いという特徴を持つ。このことから、ランダムレーザーはスペックルが出ないレーザー光源とも言える。このように、ランダムレーザーは従来のレーザーにはない特徴を持っており、光干渉断層計(OCT)の光源等、さまざまな応用が提案されている。本発表では、ランダムレーザーの基本原理や研究の歴史、最新の研究動向、さらには今後の応用可能性について紹介する。


    • 【略歴】
      1986年 北海道大学大学院工学研究科電子工学専攻修了。1986年 日立製作所入社。1988年 北海道大学応用電気研究所助手。1993年 博士(工学)。1995年 防衛大学校電気工学教室講師。1998年 九州工業大学情報工学部助教授。2006年 同教授。研究分野は、光散乱、皮膚光学、および光計測。



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    • 講演:『ダイヤモンド製造技術開発の現状と将来展望』
          産業技術総合研究所 主任研究員
          山田 英明(ヤマダ ヒデアキ)氏
       
    • 講演日:平成30年3月18日(日)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館1Fロイアルブルーホール

    • 【講演要旨】
       ダイヤモンドの物性値は複数が物質中最高水準だが、現状では産業利用が限定的である。その理由の一つが人工合成技術の困難さにあった。1950年代に高温高圧合成法、1980年頃にプラズマCVD法にて合成実証されつつも、これまで1インチを超えるサイズの結晶が市販されることは無かった。近年、技術開発の進歩により、1インチ大のダイヤモンド塊や、インチサイズの平板が作製できる様になり、市販されつつある。これは、従来の機械用途のみならず、Si、SiCを超える性能に期待される大容量パワーデバイスや、ヒートシンク、これまでに無かった量子デバイスを用いたセンサーなど、様々な分野での応用を実現するための基礎技術が着々と積み重なっていることの証左とも言える。本講演では、ダイヤモンドに期待される産業利用から、その実現に必要不可欠となる製造技術開発の現状と展望について紹介する。

     

    • 【略歴】
       1974年 富山県 出身

      学歴:
       2002年 博士(理学)新潟大学大学院

      職歴:
       2002-2004年 京都大学大学院 産学連携研究員
       2004年-現在 産業技術総合研究所 特別研究員、研究員を経て、主任研究員、現在に至る
       尚、この間 2009年-2010年 (株)EDP 兼務

      専門:
       高温・低温プラズマ、ダイヤモンド合成・加工、シミュレーション

      受賞:
       2017年 第15回産学官連携功労者表彰 内閣総理大臣賞「単結晶ダイヤモンドの工業製品化」

     



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    • 講演:『風力発電、太陽光発電、スマートグリッドに関する最近の特許』
          東京工業大学 名誉教授
          筑波大学 特命教授
          嶋田 隆一(シマダ リュウイチ)氏
       
    • 講演日:平成30年3月18日(日)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館1Fロイアルブルーホール

    • 【講演要旨】
       地球温暖化議論はどうあれ、人類のこれからのエネルギーは、石油など化石エネルギーではなく再生可能エネルギー、特に太陽光発電、風力発電などになると理解されてきたようだ。この20年の技術進展によって、大型風車は数千kWの出力で稼働率40%(イギリスの洋上で)、太陽光はkWh当たり3円〔ドバイの例〕と飛躍的に進展した。旧原子炉研の嶋田研究室では、すでに20年前から、核融合ばかりでなく新エネルギー研究を先取りして取り組んできた。昨年には、未発表で東工大から出願していた効果のある関連特許が2,3成立したのでその説明をしたい。また、最近筑波大にて5年目になるパワエレ寄付講座において、次世代半導体スイッチを使って、スマートエネルギーの鍵技術となる直流電流の開閉器に関して、デモ装置(無アーク遮断技術東工大特許)も実演する。



    • 【略歴】
      嶋田隆一(Ryuichi Shimada)
      1948年生まれ,1975年東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻博士課程修了,工学博士,1975年日本原子力研究所入所,国プロである核融合実験装置(JT-60)の開発建設に従事,1988年4月東京工業大学工学部電気電子工学科助教授,1990年東京工業大学工学部電気電子工学科教授,1990年東京工業大学原子炉工学研究所教授.2005年統合研究院ソリューション研究機構教授 2011年卓越教授、2013年名誉教授、2014年筑波大学数理物質系物理工学パワエレ寄附講座 特命教授、現在に至る。 

      研究分野:主として大電力のシステム工学,核融合プラズマの制御,超電導電力貯蔵研究に従事,近年は磁気エネルギー回生半導体スイッチ(MERS:マース)の応用研究に注力している.電気学会進歩賞,論文賞2回,著作賞受賞,電気学会フェロー

      2016年5月電気学会業績賞(大容量パワーエレクトロニクス技術ならびに超電コイル技術への貢献)



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    • 講演:【特別講演】『NEW DIAMOND TECHNOLOGY社 会社紹介・技術説明』
          ロシア
          NEW DIAMOND TECHNOLOGY社 副社長(技術担当)
          アレクサンダー・コリャディン氏氏
       
    • 講演日:平成30年3月18日(日)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館1Fロイアルブルーホール



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    • 講演:『4H-SiCの熱酸化過程の材料学的理解とMOS界面特性の制御』
          東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
          喜多 浩之(キタ コウジ)氏
       
    • 講演日:平成30年4月21日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館1Fロイアルブルーホール

    • 【講演要旨】
       4H-SiCパワーMOSFETは,高効率なパワーエレクトロニクスのために普及が期待されるが,まだ多くの技術課題を残している。良好なMOS特性のためには,ゲート絶縁膜であるSiO2とSiCの界面に形成される,電荷を捕獲する欠陥構造の抑制が必須である。そこで酸素とSiCの反応過程を理解し,さらにその反応が質的に変化する要件を見抜いた上でプロセス設計を行うことが重要である。講演では,SiCの熱酸化過程の理解と制御に加え,酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや,酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など,SiCの界面に特有な現象についても議論する。

     

    • 【略歴】
      1994 3月 東京大学 工学部化学工学科 卒業
      1996 3月 東京大学 大学院工学系研究科化学システム工学専攻修士課程 修了
      1996 4月 三洋電機(株)入社 研究開発本部ニューマテリアル研究所に勤務
      1998 3月 三洋電機(株)退社
      1998 4月 東京大学 大学院工学系研究科化学システム工学専攻博士課程 入学
      2001 9月 東京大学 大学院工学系研究科化学システム工学専攻博士課程 修了
      2001 10月 東京大学 大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 助手
      2007 4月 同 講師
      2010 5月 同 准教授 現在に至る

     



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    • 講演:『SiCの新しい概念に基づく化学的研磨法』
          大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 准教授
          佐野 泰久(サノ ヤスヒサ)氏
       
    • 講演日:平成30年4月21日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館1Fロイアルブルーホール

    • 【講演要旨】
       電力の有効活用のため、パワー半導体によってその周波数や電圧・電流比が変換・制御されている。現在その主役はシリコンであるが、より低損失化・小型化が可能な炭化ケイ素(SiC)が注目されている。SiCパワー半導体は既に種々の鉄道車両に搭載されて低電力損失化を達成し、いよいよ自動車への搭載等、本格的な普及が期待されているが、その最大の課題はコスト低減である。SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度で加工が難しいことがコスト高の一要因であり、新規加工法が望まれている。本講演では、高圧力プラズマ中の高密度ラジカルによる高速エッチング技術であるPCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)法や、触媒表面と接触した基板凸部が選択的に溶解される触媒表面基準エッチング(Catalyst-Referred Etching: CARE)法といった新しい化学的研磨法について紹介する。



    • 【略歴】
      1993年、大阪大学 大学院工学研究科 博士前期課程(精密工学専攻)修了。同年大阪大学工学部助手。2003年より同大学院工学研究科助教授(現准教授)。博士(工学)。高圧力プラズマを用いた高能率加工・超精密加工法、触媒表面基準エッチング法の開発等に従事。精密工学会、応用物理学会所属。



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    • 講演:『超高品質SiC溶液成長法の開発と機械学習を用いた高度化』
          名古屋大学未来材料・システム研究所 教授
          宇治原 徹(ウジハラ トオル)氏
       
    • 講演日:平成30年4月21日(土)於て 東工大(大岡山) 蔵前会館1Fロイアルブルーホール

    • 【講演要旨】
       我々は溶液成長法により非常に高品質なSiC結晶を育成する技術を確立した。これには、結晶成長表面に形成されるマクロステップの構造制御が重要で、そのためには、溶液中の流動を緻密に制御する必要があることがわかっている。
       最近では、さらなる大型結晶化を目指して、開発を進めているが、その開発においては、人工知能技術の一つである機械学習を活用し、実際に2インチ、3インチの結晶成長の実現に大きな力を発揮している。



    • 【略歴】
      1999年3月 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 修了
      1999年4月 東北大学金属材料研究所 助手
      2004年3月 名古屋大学大学院工学研究科 助教授
      2010年10月 名古屋大学大学院工学研究科 教授
      2016年10月 名古屋大学未来材料・システム研究所 教授

      現在は、それ以外に、
      産業技術総合研究所 GaNオープンイノベーションラボラトリー 副ラボ長
      株式会社UMaP 代表取締役 CEO

 


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2018年4月27日 最終更新

新規事業研究会
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