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H30年

第305回 月例研究会

  ■ 日 時:平成30年4月21日(土曜日) 13:30〜
  ■ 場 所:東京工業大学(大岡山)蔵前会館 1F ロイアルブルーホール
  ■ 参加費:会員無料(懇親会費別),非会員参加費 3,000円、懇親会費2,000円
    ⇒お申し込み

※ 4月21日の講演会場は東工大 蔵前会館 1F ロイアルブルーホール になります。
  下記サイトをご参照ください。
  東京工業大学大岡山キャンパスマップ
  http://www.titech.ac.jp/maps/ookayama/

※ 5月の月例会は5月12日の第2土曜日の予定です。

ご参加いただける皆様におかれましては、お手数ですがオンラインまたは電話・FAXにてお申込みいただきますようお願い申し上げます。
  ⇒お申し込み

時間 内容
13:30〜14:30

【講演−1】
題目:『4H-SiCの熱酸化過程の材料学的理解とMOS界面特性の制御』
講師:東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
    喜多 浩之(キタ コウジ)氏

 

14:40〜15:40

【講演−2】
題目:『SiCの新しい概念に基づく化学的研磨法』
講師:大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 准教授
    佐野 泰久(サノ ヤスヒサ)氏

 

15:50〜16:50

【講演−3】
題目:『超高品質SiC溶液成長法の開発と機械学習を用いた高度化』
講師:名古屋大学未来材料・システム研究所 教授
    宇治原 徹(ウジハラ トオル)氏
 

 

 

講演要旨/講師略歴

【講演−1】 
題目:『4H-SiCの熱酸化過程の材料学的理解とMOS界面特性の制御』
講師:東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
    喜多 浩之(キタ コウジ)氏

「講演要旨」
 4H-SiCパワーMOSFETは,高効率なパワーエレクトロニクスのために普及が期待されるが,まだ多くの技術課題を残している。良好なMOS特性のためには,ゲート絶縁膜であるSiO2とSiCの界面に形成される,電荷を捕獲する欠陥構造の抑制が必須である。そこで酸素とSiCの反応過程を理解し,さらにその反応が質的に変化する要件を見抜いた上でプロセス設計を行うことが重要である。講演では,SiCの熱酸化過程の理解と制御に加え,酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや,酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など,SiCの界面に特有な現象についても議論する。

「略歴」
1994 3月 東京大学 工学部化学工学科 卒業
1996 3月 東京大学 大学院工学系研究科化学システム工学専攻修士課程 修了
1996 4月 三洋電機(株)入社 研究開発本部ニューマテリアル研究所に勤務
1998 3月 三洋電機(株)退社
1998 4月 東京大学 大学院工学系研究科化学システム工学専攻博士課程 入学
2001 9月 東京大学 大学院工学系研究科化学システム工学専攻博士課程 修了
2001 10月 東京大学 大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 助手
2007 4月 同 講師
2010 5月 同 准教授 現在に至る

 

【講演−2】 
題目:『SiCの新しい概念に基づく化学的研磨法』
講師:大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 准教授
    佐野 泰久(サノ ヤスヒサ)氏

「講演要旨」
 電力の有効活用のため、パワー半導体によってその周波数や電圧・電流比が変換・制御されている。現在その主役はシリコンであるが、より低損失化・小型化が可能な炭化ケイ素(SiC)が注目されている。SiCパワー半導体は既に種々の鉄道車両に搭載されて低電力損失化を達成し、いよいよ自動車への搭載等、本格的な普及が期待されているが、その最大の課題はコスト低減である。SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度で加工が難しいことがコスト高の一要因であり、新規加工法が望まれている。本講演では、高圧力プラズマ中の高密度ラジカルによる高速エッチング技術であるPCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)法や、触媒表面と接触した基板凸部が選択的に溶解される触媒表面基準エッチング(Catalyst-Referred Etching: CARE)法といった新しい化学的研磨法について紹介する。

「略歴」
1993年、大阪大学 大学院工学研究科 博士前期課程(精密工学専攻)修了。同年大阪大学工学部助手。2003年より同大学院工学研究科助教授(現准教授)。博士(工学)。高圧力プラズマを用いた高能率加工・超精密加工法、触媒表面基準エッチング法の開発等に従事。精密工学会、応用物理学会所属。

 

【講演−3】
題目:『超高品質SiC溶液成長法の開発と機械学習を用いた高度化』
講師:名古屋大学未来材料・システム研究所 教授
    宇治原 徹(ウジハラ トオル)氏

「講演要旨」
 我々は溶液成長法により非常に高品質なSiC結晶を育成する技術を確立した。これには、結晶成長表面に形成されるマクロステップの構造制御が重要で、そのためには、溶液中の流動を緻密に制御する必要があることがわかっている。
 最近では、さらなる大型結晶化を目指して、開発を進めているが、その開発においては、人工知能技術の一つである機械学習を活用し、実際に2インチ、3インチの結晶成長の実現に大きな力を発揮している。

「略歴」
1999年3月 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 修了
1999年4月 東北大学金属材料研究所 助手
2004年3月 名古屋大学大学院工学研究科 助教授
2010年10月 名古屋大学大学院工学研究科 教授
2016年10月 名古屋大学未来材料・システム研究所 教授

現在は、それ以外に、
産業技術総合研究所 GaNオープンイノベーションラボラトリー 副ラボ長
株式会社UMaP 代表取締役 CEO

 



【月例研究会についてのお問い合せ先】

 新規事業研究会 事務局

 〒222-0033 横浜市港北区新横浜3-6-12 日総第12ビル2階
 TEL: 045-624-9933
 FAX: 045-624-9934
 E-mail: sinjiken@jk9.so-net.ne.jp


【参加お申し込み】

 参加費は当日受付けにてお支払いください。
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最終更新 2018年4月4日